近日，理想晶延自主研发的晶硅-钙钛矿叠层量产机已顺利出货。这一重要里程碑标志着理想晶延在钙钛矿镀膜技术领域的广泛应用和客户认可，为晶硅和钙钛矿太阳能电池的大规模生产和产业化提供了强有力的支持。理想晶延的晶硅-钙钛矿叠层电池SALD设备为钙钛矿电池的叠层技术量身定制的工业化量产解决方案，采用先进工艺技术，能够精确控制薄膜的沉积过程，确保钙钛矿的优异性能，保障电池性能和质量的同时，突破了晶硅组件效率。它集合了高效率、经济性和稳定性等多重优势。此次成功交付标志着理想晶延在光伏设备领域的研发能力进一步提升。未来，公司将深化与产业链伙伴的合作，持续推动光伏技术迭代。理想晶延将继续致力于实现“双碳”目标，坚持“客户至上、专注专业、尊重合作、共创未来”的发展理念，不断探索和提升光伏电池及组件的核心技术，为客户提供更多高效能、高质量的设备，为实现零碳排放的地球贡献我们的力量。

  近日，中国光伏行业协会钙钛矿专业委员会成立大会暨第一届委员大会在安徽宣城世纪缘国际酒店顺利召开。理想晶延凭借其在钙钛矿光伏领域的杰出贡献，受邀参与此次盛会，并当选为副主任委员单位，与百位行业领袖共襄盛举，共绘钙钛矿技术发展新篇章。  IDEAL DEPOSITION会议期间，理想晶延与行业代表就钙钛矿技术发展、企业优势、行业竞争力、市场环境等议题进行了深入的交流与探讨。中国光伏行业协会副秘书长江华主持会议，工业和信息化部电子信息司电子基础处王赶强出席会议并发表致辞，中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司院长肖平作为筹备组组长参与会议。本次大会的成功举办，不仅加强了行业内的技术交流与合作，也为钙钛矿产业的体系化建设和发展水平提升注入了新动力。理想晶延将以此为契机，积极履行副主任委员单位的职责，与行业同仁一道，推动钙钛矿产业向更高效、更可持续的方向发展，共同开启光伏行业的辉煌新纪元。

IDEAL DEPOSITION 近日，理想晶延自主研发的侧壁钝化EPD设备荣获全球光伏行业领先企业的复购订单并顺利交付。这不仅印证了EPD设备的卓越品质和性能，更激励我们持续提供高质量的产品和服务，助力客户实现效率提升和价值创造。自侧壁钝化EPD设备进入市场以来，凭借其高产能、低损耗等优势，赢得了众多行业客户的批量订单。作为继钙钛矿ALD设备后的又一力作，EPD设备已成为公司的标志性产品。经过客户的批量化生产验证，EPD设备提升组件功率（超过4.0W）、提高产能（约20000小片/小时）、降低碎片率（≤0.02%）和控制绕镀（＜1.5mm）方面表现卓越，对TOPCON、HJT、PERC等多种电池组件的效率提升具有显著效果。此次复购订单的获得，是客户对理想晶延深度信任和高度认可的体现。展望未来，我们将继续深耕核心技术，不断突破创新，秉承“精研高端装备，智造美好未来”的企业愿景，致力于为客户提供更卓越、更高效、更高质量的设备与解决方案，帮助客户降低成本、提高效率，并推动光伏与半导体高端装备行业的持续创新与发展。

8月16日，由中国可再生能源学会主办，中国可再生能源学会光伏专业委员会、西安交通大学承办的第十九届中国可再生能源大会光伏分会，在西安国际会展中心会议楼隆重开幕。理想晶延工艺技术总监苏青峰博士、资深工艺技术经理王俊博士受邀出席活动并发表主题演讲。本次大会聚集了来自国内外光伏领域的行业专家、协会机构资深从业者以及高校院所技术人才等，以加快可再生能源发展、实施可再生能源替代行动，促进新理论、新方法、新技术、新产品的交流与合作，加速产业高质量发展为核心目标，共同探讨与分享光伏领域的最新成果与应用技术。8月17日，在晶体硅太阳电池、辅材及装备第二分会场，苏青峰博士以《ALD边缘钝化技术提升切片电池转换效率》为主题，深度解读了ALD边缘钝化技术在光伏切片电池中的应用。报告指出，采用ALD边缘钝化技术在TOPCon半片电池侧切面沉积厚度50nm的高质量纳米Al2O3薄膜，通过纳米Al2O3薄膜对半片电池侧面进行边缘钝化，提升太阳能电池的光电转换效率，并且可修复因电池切割所造成的功率损失。与边缘未钝化的TOPCon半片电池相比，电池效率最高提升了0.2%，批量组件功率最高提升了5.96W。边缘钝化工艺与TOPCon产线工艺可以高度兼容并已应用于量产，无需对前道产线进行任何改变。同天下午，在钙钛矿太阳电池及组件第四分会场，王俊博士发表了《空间型原子层法沉积氧化锡薄膜及其性能的研究》的演讲，与现场专家、行业资深从业者探讨氧化锡薄膜的创新技术。报告中提到，以四（二甲氨基）锡和水为前驱体，通过空间型原子层的沉积技术制备了氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜具有优异的沉积速率、光学性能、微观形貌、防水渗透性能以及大尺寸的膜厚均匀性。研究发现SnOx的沉积速率随沉积温度的升高而降低，折射率随沉积温度的升高而增大，表明膜层的致密性随沉积温度的升高而变得更加致密；SnOx膜层防水渗透能力强，能够很好的覆盖钙钛矿膜层，而且膜层透过率高；在大尺寸成膜上，SnOx膜层的厚度均匀性可达5%以内。 理想晶延作为光伏与半导体高端装备领域的科技技术型企业，十余年来始终专注核心技术的创新，深度聚焦行业突破难点，在ALD边缘钝化、氧化锡薄膜沉积等技术应用方面，取得了一定的研究成果与数据刷新，并为行业头部企业提供高效、降本、增产的设备解决方案，持续推动光伏产业的高质量发展。 展望未来，理想晶延将持续加大核心技术研发，加速可再生能源的应用与合作交流，积极推进光伏与半导体高端装备产业的创新发展。公司将利用自身优势激活产业链潜能，为客户创造高效价值，为行业发展提供技术支持。

8月13日，理想晶延出席了在安徽宣城举办的“光伏行业异质结与钙钛矿产业化发展研讨会”，本次会议由中国光伏行业协会与宣城市人民政府联合主办。期间，在“异质结电池增效降本专题会暨异质结技术产业化协同创新平台一周年技术会议”的分论坛上，理想晶延与来自政府、科研机构、企业等不同领域的专家共聚一堂，深入探讨了异质结和钙钛矿技术及其在光伏产业中的应用前景和对产业增效降本的潜力。理想晶延产品工艺总监魏青竹博士在会上发表了题为“空间型ALD设备推动大面积钙钛矿电池量产的技术进展”的演讲，与参会的行业领袖和专家进行了深入的交流和讨论。理想晶延凭借十余年的技术积累，专注于ALD和钙钛矿技术的研发，成功突破了大面积钙钛矿均匀成膜和效率提升的关键技术难题。自主研发的钙钛矿空间域SALD镀膜设备，具备快速、大面积镀膜和高产能等优势，全面覆盖了从实验研发到GW级量产的全系列产品线。经过行业领先钙钛矿电池企业的严格量产测试，理想晶延的设备以其卓越的性能和可靠性，赢得了客户的高度评价和认可。理想晶延始终坚持“精研高端装备，智造美好未来”的愿景，积极响应行业号召，分享技术成果，为钙钛矿技术的产业化发展贡献力量。未来，理想晶延将继续推动光伏与半导体高端装备的创新发展，为行业的高质量发展和客户价值的提升提供持续动力。