8月16日，由中国可再生能源学会主办，中国可再生能源学会光伏专业委员会、西安交通大学承办的第十九届中国可再生能源大会光伏分会，在西安国际会展中心会议楼隆重开幕。理想晶延工艺技术总监苏青峰博士、资深工艺技术经理王俊博士受邀出席活动并发表主题演讲。本次大会聚集了来自国内外光伏领域的行业专家、协会机构资深从业者以及高校院所技术人才等，以加快可再生能源发展、实施可再生能源替代行动，促进新理论、新方法、新技术、新产品的交流与合作，加速产业高质量发展为核心目标，共同探讨与分享光伏领域的最新成果与应用技术。8月17日，在晶体硅太阳电池、辅材及装备第二分会场，苏青峰博士以《ALD边缘钝化技术提升切片电池转换效率》为主题，深度解读了ALD边缘钝化技术在光伏切片电池中的应用。报告指出，采用ALD边缘钝化技术在TOPCon半片电池侧切面沉积厚度50nm的高质量纳米Al2O3薄膜，通过纳米Al2O3薄膜对半片电池侧面进行边缘钝化，提升太阳能电池的光电转换效率，并且可修复因电池切割所造成的功率损失。与边缘未钝化的TOPCon半片电池相比，电池效率最高提升了0.2%，批量组件功率最高提升了5.96W。边缘钝化工艺与TOPCon产线工艺可以高度兼容并已应用于量产，无需对前道产线进行任何改变。 同天下午，在钙钛矿太阳电池及组件第四分会场，王俊博士发表了《空间型原子层法沉积氧化锡薄膜及其性能的研究》的演讲，与现场专家、行业资深从业者探讨氧化锡薄膜的创新技术。报告中提到，以四（二甲氨基）锡和水为前驱体，通过空间型原子层的沉积技术制备了氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜具有优异的沉积速率、光学性能、微观形貌、防水渗透性能以及大尺寸的膜厚均匀性。研究发现SnOx的沉积速率随沉积温度的升高而降低，折射率随沉积温度的升高而增大，表明膜层的致密性随沉积温度的升高而变得更加致密；SnOx膜层防水渗透能力强，能够很好的覆盖钙钛矿膜层，而且膜层透过率高；在大尺寸成膜上，SnOx膜层的厚度均匀性可达5%以内。 理想晶延作为光伏与半导体高端装备领域的科技技术型企业，十余年来始终专注核心技术的创新，深度聚焦行业突破难点，在ALD边缘钝化、氧化锡薄膜沉积等技术应用方面，取得了一定的研究成果与数据刷新，并为行业头部企业提供高效、降本、增产的设备解决方案，持续推动光伏产业的高质量发展。 展望未来，理想晶延将持续加大核心技术研发，加速可再生能源的应用与合作交流，积极推进光伏与半导体高端装备产业的创新发展。公司将利用自身优势激活产业链潜能，为客户创造高效价值，为行业发展提供技术支持。

8月13日，理想晶延出席了在安徽宣城举办的“光伏行业异质结与钙钛矿产业化发展研讨会”，本次会议由中国光伏行业协会与宣城市人民政府联合主办。期间，在“异质结电池增效降本专题会暨异质结技术产业化协同创新平台一周年技术会议”的分论坛上，理想晶延与来自政府、科研机构、企业等不同领域的专家共聚一堂，深入探讨了异质结和钙钛矿技术及其在光伏产业中的应用前景和对产业增效降本的潜力。理想晶延产品工艺总监魏青竹博士在会上发表了题为“空间型ALD设备推动大面积钙钛矿电池量产的技术进展”的演讲，与参会的行业领袖和专家进行了深入的交流和讨论。理想晶延凭借十余年的技术积累，专注于ALD和钙钛矿技术的研发，成功突破了大面积钙钛矿均匀成膜和效率提升的关键技术难题。自主研发的钙钛矿空间域SALD镀膜设备，具备快速、大面积镀膜和高产能等优势，全面覆盖了从实验研发到GW级量产的全系列产品线。经过行业领先钙钛矿电池企业的严格量产测试，理想晶延的设备以其卓越的性能和可靠性，赢得了客户的高度评价和认可。理想晶延始终坚持“精研高端装备，智造美好未来”的愿景，积极响应行业号召，分享技术成果，为钙钛矿技术的产业化发展贡献力量。未来，理想晶延将继续推动光伏与半导体高端装备的创新发展，为行业的高质量发展和客户价值的提升提供持续动力。

近日，理想晶延钙钛矿电池设备出货的喜讯连连，自主研发的钙钛矿ALD研发设备已从海宁工厂顺利出货，成功交付至两家国内一线光伏企业。这不仅标志着理想晶延在钙钛矿业务领域全面的布局和成熟的产品交付能力，也展示了我们在行业内的品牌影响力！本次交付的钙钛矿ALD研发设备，具备较强的兼容性，可适应300×400mm及以下尺寸的基板。设备工艺温度从80℃至300℃可调，成膜均匀性控制在3%以内。同时，该设备采用空间型ALD技术，其工艺配方和相关技术经验可以转移到未来量产型ALD设备上。 理想晶延现已构建起从研发到中试，再到GW级量产的钙钛矿电池全系列设备，可为客户提供多样化的量产装备解决方案，持续为行业创造价值。展望未来，理想晶延将继续以客户为中心，秉承专业专注、相互尊重、共同成就的发展理念，积极满足客户需求，探索行业发展趋势，为客户和行业创造更大价值。

6月15日，2024SNEC第十七届光伏展在上海国家会展中心圆满收官。历时三天的行业盛会中，理想晶延展台接待了众多行业内专家与参展观众，诚挚的分享得到专业的肯定，可谓收获满满！展会期间，理想晶延展台备受瞩目，现场技术人员耐心细致的讲解与热情接待，吸引了广大访客驻足交流！究竟是什么样的尖端产品与技术方案，让理想晶延展台人潮涌动呢？本期就为大家隆重解读本次展会重磅产品——全新一代iALD-V设备。 全新一代iALD-V设备 性能显著优势卓著 理想晶延全新一代iALD-V设备，是在广受市场好评的四代产品基础上，进行了多项改进与突破，尤其适配TOPCon工艺。针对大尺寸电池钝化和良率具有显著的增效优势，相对前一代机型， iALD-V设备不仅产能大幅度提升，更进一步降低了维保成本，将有效助推高效太阳电池降本增效和提速发展。整片产能提升37%（182电池片），45%（210电池片），半片产能不缩减工艺窗口宽，3-8nm膜厚产能维持不变优异的AlOx钝化效果，大尺寸N型电池转化效率高任何电池尺寸下，绕镀小于0.5mm碎片率低≤0.01%，在大尺寸薄片、半片上优势明显单次维保时间缩短56%，维保周期延长至33天以上维保成本下降30% 2024 SNEC光伏展虽已落幕，但理想晶延创新之路永无止境。公司将坚持“以客户为中心，专业专注，互相尊重，共同成就”的发展理念，紧握行业发展需求与核心问题，创新驱动，持续为广大客户提供降本增效、稳定安全的产品设备与解决方案，为光伏产业高质量发展贡献力量。 最后，衷心感谢所有莅临现场以及长期关注理想晶延的广大客户和合作伙伴们！我们仍将逐光而行，未来可期！