8月16日，由中国可再生能源学会主办，中国可再生能源学会光伏专业委员会、西安交通大学承办的第十九届中国可再生能源大会光伏分会，在西安国际会展中心会议楼隆重开幕。理想晶延工艺技术总监苏青峰博士、资深工艺技术经理王俊博士受邀出席活动并发表主题演讲。

本次大会聚集了来自国内外光伏领域的行业专家、协会机构资深从业者以及高校院所技术人才等，以加快可再生能源发展、实施可再生能源替代行动，促进新理论、新方法、新技术、新产品的交流与合作，加速产业高质量发展为核心目标，共同探讨与分享光伏领域的最新成果与应用技术。

8月17日，在晶体硅太阳电池、辅材及装备第二分会场，苏青峰博士以《ALD边缘钝化技术提升切片电池转换效率》为主题，深度解读了ALD边缘钝化技术在光伏切片电池中的应用。报告指出，采用ALD边缘钝化技术在TOPCon半片电池侧切面沉积厚度50nm的高质量纳米Al2O3薄膜，通过纳米Al2O3薄膜对半片电池侧面进行边缘钝化，提升太阳能电池的光电转换效率，并且可修复因电池切割所造成的功率损失。与边缘未钝化的TOPCon半片电池相比，电池效率最高提升了0.2%，批量组件功率最高提升了5.96W。边缘钝化工艺与TOPCon产线工艺可以高度兼容并已应用于量产，无需对前道产线进行任何改变。

同天下午，在钙钛矿太阳电池及组件第四分会场，王俊博士发表了《空间型原子层法沉积氧化锡薄膜及其性能的研究》的演讲，与现场专家、行业资深从业者探讨氧化锡薄膜的创新技术。报告中提到，以四（二甲氨基）锡和水为前驱体，通过空间型原子层的沉积技术制备了氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜具有优异的沉积速率、光学性能、微观形貌、防水渗透性能以及大尺寸的膜厚均匀性。研究发现SnOx的沉积速率随沉积温度的升高而降低，折射率随沉积温度的升高而增大，表明膜层的致密性随沉积温度的升高而变得更加致密；SnOx膜层防水渗透能力强，能够很好的覆盖钙钛矿膜层，而且膜层透过率高；在大尺寸成膜上，SnOx膜层的厚度均匀性可达5%以内。 

理想晶延作为光伏与半导体高端装备领域的科技技术型企业，十余年来始终专注核心技术的创新，深度聚焦行业突破难点，在ALD边缘钝化、氧化锡薄膜沉积等技术应用方面，取得了一定的研究成果与数据刷新，并为行业头部企业提供高效、降本、增产的设备解决方案，持续推动光伏产业的高质量发展。

展望未来，理想晶延将持续加大核心技术研发，加速可再生能源的应用与合作交流，积极推进光伏与半导体高端装备产业的创新发展。公司将利用自身优势激活产业链潜能，为客户创造高效价值，为行业发展提供技术支持。