ALD保护膜沉积

原子层沉积技术原理

●  ALD（单原子层沉积）原理是二种反应气体交替反应，每一次只有一种反应物在表面形成单原子层，多余的反应物被purge气体排出反应腔；

●  根据ALD反应机理，薄膜是单原子层二维生长，因此制备的材料质量高、均匀度好。

LED Al2O3 ALD沉积工艺

●  ALD方法镀膜，晶体质量高，覆盖性好，特别是对LED侧壁有很好的保护

●  Al₂O₃ 比SiO₂介电常数更高，绝缘保护性能更好, 透水率低，可以取代PECVD SiO₂ 作为芯片的封装层，提高芯片出光效率和潮湿环境下的可靠性

●  ALD AlN可以用于GaN LED 生长的缓冲层，提高LED的性能和产能